Інформація про дисертацію

Методом  хімічного  осадження  синтезовано  тонкі  напівпровідникові  плівки
цинк сульфіду і цинк селеніду з водних розчинів цинк-вмісної солі.
Структурні,  оптичні,  морфологічні  властивості,  товщина  плівок  ZnS  і  ZnSe
досліджено  рентгенівською  дифракцією,  оптичною  спектроскопією,  скануючою
електронною  та  атомно-силовою  мікроскопією,  профілометрією.  Встановлено,  що
метод  хімічного  осадження  дозволяє  одержувати  напівпровідникові  тонкі  суцільні
плівки  цинк  сульфіду  і  цинк  селеніду  стехіометричного  складу  на  підкладках
великої площі за низьких температур.
Використано метод інверсійної вольтамперометрії для визначення маси цинку у
напівпровідникових тонких плівках ZnS і ZnSe та встановлення оптимальних умов
їх синтезу.
Кінетику  швидкості  реакцій  синтезу  ZnS  і  ZnSe  досліджено  методом
молекулярно-абсорбційного аналізу та визначено ефективні енергії активації.
Створено плівкові тверді розчини і композиційні структури на основі хімічно
осаджених  плівок  цинк  сульфіду  та  цинк  селеніду.  Досліджено  фазовий  склад,
оптичні  та  морфологічні  властивості  одержаних  плівкових  твердих  розчинів  і
структур  та  показано,  що  використання  хімічного  осадження  дає  змогу  значно
спростити  і  здешевити  процес  їхнього  виготовлення,  що  може  стати  основою  для
масового виробництва фоточутливих елементів.
Проведено  квантово-хімічне  моделювання  процесу  синтезу  цинк  сульфіду  та
цинк  селеніду  з  різними  комплексоутворюючими  реагентами,  яке  дозволило
встановити хімізм процесу осадження плівок.
Ключові  слова:  цинк  сульфід,  цинк  селенід,  тонкі  плівки,  хімічне  осадження,
тверді розчини, фоточутливі структури.