PashkovskyyМаріан Владиславович (01.II.1928, с. Підгір’я тепер Бродівського р-ну Львів. обл. – 19.V.2012, с. Підгір’я) – фізик, канд. фіз.-мат. наук (Вплив домішок на зміну параметрів кристалічної гратки і властивості деяких напівпровідникових матеріалів, 1961), доц. (1962), д-р фіз.-мат. наук (Домішки і дефекти в кристалах вольфраматів та халькогенідів ртуті, 1973), проф. (1976). Закінчив фіз.-мат. ф-т Львів. ун-ту (1952), аспірантуру (1957). У 1952–54 учителював; 1954–55 викладач математики Львів. технікуму громад. харчування; 1957–58 в. о. доц. каф. експерим. фізики, 1958–62 в. о. доц., 1962–64 доц. каф. фізики тв. тіла, 1964–74 доц., з 1974 проф., 1964–72, 1976–80 зав. каф. фізики напівпровідників Львів. ун-ту.

Наук. інтереси: дослідження напівпровідникових матеріалів, зокр., сірчистої ртуті; вузькозонних напівпровідників на основі тв. розчинів халькогенідів ртуті; окисних кристалів, особливо вольфраматів двовалентних металів, ніобату літію, силіцію.

Керівник бл. 40 канд. дис.

Бл. 450 праць, зокр., Влияние структурных дефектов на физические свойства вольфраматов (Львов, 1978; с соавт.); Поверхностные электронные свойства металлов и полупроводников с учетом корреляционных эффектов (Физ. электроника. 1984. Вып. 28; с соавт.); Факторы, определяющие энергетический выход люминофора на основе монокристаллических пленок оксидов Al2O3–Y2O3–R2O3 (Ж. прикл. спектроскопии. 1999. Т. 66. № 6; с соавт.); Doped by mercury-like ions KBr and KCl diffusion structures as imaging plates for digital radiography (Proc. SPIE. 2001. Vol. 4425; with co-auth.); Luminescence of the samarium ions doped in the complex oxides with heterovalence substitution (J. of Luminescence. Vol. 102, 103; with co-auth.).

Держ. премія УРСР (1986). Заст. відп. ред. зб. “Физ. электроника” (1969–86). Засл. проф. Львів. ун-ту (2003).

П. Галій